SBD 在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據(jù)報道，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低，但高也可以達到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低只有 0.5 eV，高可達1.7 eV。于是，SBD 成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件關(guān)注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。

金屬與 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體體內(nèi)含有大量的導(dǎo)電載流子。金屬與 4H-SiC 半導(dǎo)體材料的接觸僅有原子大小的數(shù)量級間距時，4H-SiC 半導(dǎo)體的費米能級大于金屬的費米能級。此時 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體內(nèi)部的電子濃度大于金屬內(nèi)部的電子濃度，兩者接觸后，導(dǎo)電載流子會從 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體遷移到金屬內(nèi)部，從而使 4H-SiC 帶正電荷，而金屬帶負(fù)電荷。電子從 4H-SiC 向金屬遷移，在金屬與 4H-SiC 半導(dǎo)體的界面處形成空間電荷區(qū)和自建電場，并且耗盡區(qū)只落在 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體一側(cè)，在此范圍內(nèi)的電阻較大，一般稱作“阻擋層”。自建電場方向由 N 型 4H-SiC 內(nèi)部指向金屬，因為熱電子發(fā)射引起的自建場增大，導(dǎo)致載流子的擴散運動與反向的漂移運動達到一個靜態(tài)平衡，在金屬與4H-SiC 交界面處形成一個表面勢壘，稱作肖特基勢壘。4H-SiC 肖特基二極管就是依據(jù)這種原理制成的。

肖特基二極管的反向阻斷特性較差，是受肖特基勢壘變低的影響。為了獲得高擊穿電壓，漂移區(qū)的摻雜濃度很低，因此勢壘形成并不求助于減小 PN 結(jié)之間的間距。調(diào)整肖特基間距獲得與 PiN 擊穿電壓接近的 JBS，但是 JBS 的高溫漏電流大于 PiN，這是來源于肖特基區(qū)。JBS 反向偏置時，PN 結(jié)形成的耗盡區(qū)將會向溝道區(qū)擴散和交疊，從而在溝道區(qū)形成一個勢壘，使耗盡層隨著反向偏壓的增加向襯底擴展。這個耗盡層將肖特基界面屏蔽于高場之外，避免了肖特基勢壘降低效應(yīng)，使反向漏電流密度大幅度減小。此時 JBS 類似于 PiN 管。反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢壘的注入；二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴散電流。

碳化硅肖特基二極管的開啟導(dǎo)通電壓比硅快速恢復(fù)二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電流增大。碳化硅肖特基二極管的溫度特性與硅快速恢復(fù)二極管不同，當(dāng)溫度升高時導(dǎo)通阻抗會增加，VF值也上升，這樣器件發(fā)熱不易發(fā)生熱失控，更適合并聯(lián)使用。

碳化硅（SiC）是一種的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的器件。

碳化硅肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著工作頻率的提高，電感等無源原件的體積相應(yīng)下降，整個電路板的體積下降30%以上。