SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：

1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。

2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

但是，由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

肖特基二極管，也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管或熱載流子二極管，是一種利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的具有整流特性的器件。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管具有更低的正向壓降和更快的開關(guān)速度，使其在高頻、低功耗領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

肖特基二極管在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有以下優(yōu)勢(shì)：

提高電路效率：低正向壓降有助于降低電路功耗，提高電路效率。
簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)：快開關(guān)速度使得電路設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)化，減少了電路中的元件數(shù)量和復(fù)雜性。
提高可靠性：耐高溫性能使得肖特基二極管在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，提高了電路的可靠性。
在使用肖特基二極管時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：

選擇合適的型號(hào)：根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的肖特基二極管型號(hào)，以確保其性能滿足需求。
控制正向電流：肖特基二極管的正向電流較大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較大的熱量，需要合理控制正向電流以防止過熱損壞。
注意反向電壓：肖特基二極管的反向擊穿電壓較低，需要避免過高的反向電壓以免損壞器件。
肖特基二極管是由PN結(jié)和金屬接觸界面組成的特殊二極管，具有以下特點(diǎn)：

正向電壓下具有極低的正向壓降（僅為0.2V左右），因此具有快速開關(guān)特性，被廣泛應(yīng)用于高頻電路中。
反向電流大，但有穩(wěn)定的溫度特性和阻擋電容特性，適用于穩(wěn)壓、限流以及檢測(cè)等領(lǐng)域。
耐輻射能力強(qiáng)，是航空航天領(lǐng)域常用器件之一。
肖特基二極管能夠在電路中起到以下作用：

高速開關(guān)：具有快速響應(yīng)、低壓降等特性，被廣泛應(yīng)用于射頻等高頻場(chǎng)合。
穩(wěn)壓、穩(wěn)流：阻抗隨電壓變化小，因此可用于制作精度高的穩(wěn)定電源和限流器等，同時(shí)由于反向漏電流很小，也適用于檢測(cè)電路。
信號(hào)檢測(cè)：由于二極管具有阻擋電容特性，在高頻條件下可作為功率檢測(cè)器、頻譜分析儀等設(shè)備的輸入元件。
LOW VF肖特基二極管是一種正向壓降比普通肖特基二極管低的半導(dǎo)體器件。它可以理解為性能更好、壓降更低的升級(jí)肖特基二極管。因此，LOW VF肖特基二極管的壓降越低，效率越高。因此，電壓降越低，發(fā)熱越低，LOW VF肖特基二極管的工作效率越高。