SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二極體大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步，其反向偏壓的額定值大可以到200V。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

同普通硅二極管一樣，肖特基二極管也是具有單向導電特性的硅二極管。不同的是，普通二極管的工作是利用半導體PN 結的單向導電特性，而肖特基二極管則是利用金屬和半導體接觸產生的勢壘而起到單向導電作用，它是以多數(shù)載流子工作的整流器件，因而在開關時沒有少數(shù)載流子的存儲電荷和移動效應。所以，肖特基二極管的開關速度非常快，反向恢復時間trr很短 (小于幾十ns)；同時，其正向壓降V F 較小，尤其適用于高速開關電路和低壓大電流輸出電路，具有較高的整流效率和可靠性。但肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓V R 較低，一般只有 100V 左右；二是反向漏電流IR 較大。

肖特基二極管是由PN結和金屬接觸界面組成的特殊二極管，具有以下特點：

正向電壓下具有極低的正向壓降（僅為0.2V左右），因此具有快速開關特性，被廣泛應用于高頻電路中。
反向電流大，但有穩(wěn)定的溫度特性和阻擋電容特性，適用于穩(wěn)壓、限流以及檢測等領域。
耐輻射能力強，是航空航天領域常用器件之一。
LOW VF肖特基二極管的結構和特性使其適用于低電壓和大電流輸出場合的高頻整流，甚高頻(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的檢測和混頻，以及高速邏輯電路中的箝位。LOW VF肖特基二極管也常用于集成電路，如肖特基二極管。TTL集成電路長期以來一直是TTL電路的主流，并廣泛應用于高速計算機中。