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湖北硅晶碇切片膠,DAF膜,ablestik膠,COB封裝 |
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在電沉積?藝之前，對 TSV 芯片進?預處理以排除通孔中的
空?并潤濕種?層。，將 TSV 芯片放?吸瓶中并浸?去
離??中。然后，使用?循環泵將抽吸瓶抽空?負?氛。在
負壓下，通孔中的空?被推?樣品片表面。此外，應用間歇
性超聲振動去除表面?泡，直???泡出現，表明預處理完
成。因此，TSV芯片迅速移動到電鍍槽中并保持靜??夠長
的時間以確保電鍍溶液在通孔內充分擴散。
TSV制程關鍵?藝設備
TSV制作?藝包括以下?步:通孔制作;絕緣層、阻擋層和種?層的 沉積;銅填充;
通過化學機械拋光去除多余的?屬;晶圓減薄;晶圓鍵合 等。 每?步?藝都有相
當的技術難度，在通孔制作步驟，保持孔的形狀和控制 ?度非常重要，通過
Bosch?藝來實現深孔刻蝕;在沉積絕緣層、阻擋層 和種?層時，需要考慮各層
的均勻性和粘附性;銅填充時避免空洞等 缺陷，這樣填充的銅可以在疊層
器件較?的溫度下保持正常的電性能;? 旦完成了銅填充，則需要對晶圓進?
減薄;后是進?晶圓鍵合。
深硅刻蝕設備
通常情況下，制造硅通孔(經常穿透多層?屬和絕緣材料)采用深反 應離?刻蝕
技術(DRIE)，常用的深硅刻蝕技術又稱為“Bosch(博?)” ?藝，有初發明該項
技術的公司命名。 如下圖所示，?個標準Bosch?藝循環包括選擇性刻蝕和鈍
化兩個步 驟，其中選擇性刻蝕過程采用的是SF6和O2兩種?體，鈍化過程采用
的是 C4F8?體。在Bosch?藝過程中，利用SF6等離?體刻蝕硅襯底，接
著利用C4F8等離?體作為鈍化物沉積在硅襯底上，在這些?體中加?O2 等離
?體，能夠有效控制刻蝕速率與選擇性。因此，在Bosch刻蝕過程中 很自然地
形成了?殼狀的刻蝕側壁。
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