TSV 填充
TSV 填充電鍍銅有三種?法:
共形電鍍，自下?上的密封凸點電鍍， 和超共形電鍍。電鍍?法是以各種三維
集成應用為基礎的。總的來說， TSV 的結構是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圓柱形孔。TSV 的深度 取決于芯片或晶圓鍵合時的所需厚度，? TSV 縱橫
比的?小則由介電 膜、阻擋層和種?層和填充過程決定的。

STYCAST 2561/CAT 11
樂泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
樂泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
樂泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
樂泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
樂泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
樂泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
樂泰 STYCAST 50500D
樂泰 STYCAST A312
樂泰 STYCAST E1070
樂泰 STYCAST E1847
樂泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
樂泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

小型噴鍍機臺
配備有Stir Cup適用于研發以及小批量生產。
特別適合于鍍孔，Sn/Ag電鍍，Cu pillar等電鍍制程。
銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后，利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片表面制作銅錫凸點，提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點連接”，由于避免了傳統Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”，減小了芯片面積（封裝效率），此外凸塊陣列在芯片表面，引腳密度可以做得很高，便于滿足芯片性能提升的需求，并具有較佳抗電遷移和導熱能力以及高密度、低阻抗，低寄生電容、低電感，低能耗，低信噪比、低成本等優點。

小型噴鍍機臺
配備有Stir Cup適用于研發以及小批量生產。
特別適合于鍍孔，Sn/Ag電鍍，Cu pillar等電鍍制程。
體積小，可對應2寸到8寸晶圓電鍍。
只需使用10L或更少的鍍液。
配備循環過濾器
配備供排液泵。
Stir Cup